為什么在風電變流器中SiC碳化硅MOSFET模塊會替代IGBT模塊！
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造全SiC碳化硅風電變流器！-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊升級傳統IGBT模塊風電變流器，實現更高的風電變流器效率，更小的風電變流器體積重量！更低的風電變流器成本！
隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊適用于風電變流器，比如雙饋風電變流器和全功率風電變流器等。
基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊的阻斷電壓高,開關速度快,耐高溫.基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊的雙饋風力發電典型變流器拓撲系統在3 kHz開關頻率下,全SiC碳化硅風電變流器兩電平變流器較IGBT模塊兩電平效率提高3％,全SiC碳化硅風電變流器三電平變流器效率提高1％.
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊的風電變流器和IGBT模塊風電變流器的效率、體積和成本進行了比較。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊的風電變流器的實際熱模型進行模擬得出的結論是，在風力發電系統中應用SiC碳化硅MOSFET模塊將提供逼IGBT模塊更高的效率，但會大幅度減小風電變流器系統尺寸。隨著基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊價格的降低，該風電變流器系統的優勢將更加明顯，因為在這種情況下濾波器成本要低得多。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊的轉換系統節省整個系統成本和體積，對效率、體積和成本應用不同權重的成本函數（效率較小，成本和體積相等）表明，與IGBT模塊風電變流器相比，使用30 kHz 開關頻率的基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊的風電變流器具有最佳價值，在減小風電變流器體積方面的優勢更為明顯。
IGBT芯片技術不斷發展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優化），同時保持最高結溫低于最大規定值。
為了保持電力電子系統競爭優勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。
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